苏州矩阵光电有限公司
产品介绍

砷化镓(GaAs)霍尔元件具有高灵敏度、低温漂、零磁滞、磁场线性工作范围高达2T等优异特性,适用于电流传感、位移传感等应用场景。

砷化镓霍尔元件能够精确检测磁体位置,应用于镜头模组防抖(OIS)、自动对焦控制(AF)等。

开环型电流传感器的磁敏元件选用低温漂砷化镓霍尔元件,受环境温度影响更低,输出信号更稳定。

产品选型(点击型号查看详情)
型号 功能材料 工作电流
(mA)
最大输入电流
(mA)
输入电阻
(Ω)
输出电阻
(Ω)
霍尔输出电压
【@工作电流@50mT】
(mV)
失调电压
【@工作电流】
(mV)
工作温度
(℃)
尺寸
(mm)
封装形式 最小包装
(pcs)
MG910 GaAs 5 13 650 ~ 850 650 ~ 850 36~54 -5 ~ +5 -40 ~ 125 2.9*2.8*0.9 SIP 500
MG910M GaAs 5 15 650 ~ 850 650 ~ 850 36~54 -5 ~ +5 -40 ~ 125 2.35*2.7*0.95 SIP 500
MG911 GaAs 5 12 650 ~ 850 650 ~ 850 72~108 -5 ~ +5 -40 ~ 125 2.35*2.7*0.95 SIP 500
MG940 GaAs 1 4 1600 ~ 2400 3200 ~ 4800 24~38 -4 ~ +4 -40 ~ 125 2.35*2.7*0.95 SIP 500
MG950 GaAs 1 4 2200 ~ 3200 4400 ~ 6400 34~50 -4 ~ +4 -40 ~ 125 2.35*2.7*0.95 SIP 500
MG970 GaAs 5 14 1000 ~ 1500 1800 ~ 3000 80~110 -8 ~ +8 -40 ~ 125 2.35*2.7*0.95 SIP 500
MG980 GaAs 5 14 450 ~ 750 1000 ~ 2000 38~58 -4 ~ +4 -40 ~ 125 2.35*2.7*0.95 SIP 500
MG1A01 GaAs 5 10 650 ~ 850 650 ~ 850 36~54 -5 ~ +5 -40 ~ 125 0.8*0.4*0.19 DFN 10000
MG1C01 GaAs 5 10 650 ~ 850 650 ~ 850 36~54 -5 ~ +5 -40 ~ 125 0.8*0.4*0.21 DFN 10000
MG1A04 GaAs 1 4 1600 ~ 2400 3400 ~ 5000 24~40 -3 ~ +3 -40 ~ 125 0.8*0.4*0.21 DFN 10000
MG610 GaAs 5 13 650 ~ 850 650 ~ 850 36~54 -5 ~ +5 -40 ~ 125 2.6*1.5*0.6 SOT 4000
MG614 GaAs 10 25 50 ~ 80 50 ~ 80 1.5 ~ 2.0 -1 ~ +1 -40 ~ 125 2.6*1.5*0.6 SOT 4000
MG624 GaAs 10 20 600 ~ 1000 600 ~ 1000 25~35 -5 ~ +5 -40 ~ 125 2.6*1.5*0.6 SOT 4000
MG630 GaAs 5 14 1000 ~ 1500 1800 ~ 3000 80~110 -8 ~ +8 -40 ~ 125 2.6*1.5*0.6 SOT 4000
MG640 GaAs 1 4 1600 ~ 2400 3200 ~ 4800 24~38 -4 ~ +4 -40 ~ 125 2.6*1.5*0.6 SOT 4000
MG650 GaAs 1 4 2200 ~ 3200 4400 ~ 6400 34~50 -4 ~ +4 -40 ~ 125 2.6*1.5*0.6 SOT 4000
MG680 GaAs 5 14 450 ~ 750 1000 ~ 2000 38~58 -4 ~ +4 -40 ~ 125 2.6*1.5*0.6 SOT 4000